我国学者在硅异质结太阳能电池研究方面取得进展

在国家自然科学基金项目（批准号：11774016、61922005、11874314、62034001）等的资助下，北京工业大学郑坤研究员团队（显微学表征）、张永哲教授团队（半导体光电器件物理）与汉能成都研发中心团队（异质结电池技术）联合攻关，在晶体硅（c-Si）/非晶硅（a-Si:H）异质结（Silicon Heterojunction，简称SHJ）太阳能电池研究方面取得进展。研究成果以“晶硅/非晶硅界面嵌入式纳米孪晶制约高效硅异质结太阳能电池性能（Identification of embedded nanotwins at c-Si/a-Si:H interface limiting the performance of high-efficiency silicon heterojunction solar cells）”为题，于2021年2月8日在《自然?能源》（Nature Energy）上发表，论文链接: https://doi.org/10.1038/s41560-020-00768-4。

SHJ电池是在晶硅两侧表面依次沉积本征非晶硅和掺杂非晶硅形成的一种可双面入光发电的太阳能电池（图1A），其结构中的非晶硅薄膜一方面可以钝化晶硅表面悬挂键，从而确保光生载流子的有效传输与抽取；另一方面，非晶硅薄膜较大的带隙也促使该类电池具有显著的高开路电压和高光电转换效率（理论极限效率为29.4%），被认为是具有产业化竞争力的光伏技术之一。然而，实际制备的SHJ电池效率与理论极限效率仍存在较大差距，影响了其产业化进程。因此，寻找制约SHJ电池效率提升的根本原因成为领域迫切需要解决的核心问题。

针对上述问题，联合团队以产业化SHJ电池（M2基片，面积244.5 cm2）为研究对象，采用电子显微学观察、理论计算、器件物理分析相结合的方式，模拟产业化工艺步骤参数，离位/原位观察并确定了界面处的原子结构特征及结构演变规律。在c-Si{111}/a-Si:H电池界面处，不仅观察到常规外延生长现象，更重要的是在外延层中发现了“嵌入式纳米孪晶”（图1B）；进一步理论计算及器件物理性能分析表明，该缺陷扮演了深能级复合陷阱的角色（图1C、图1D），能引起光生载流子的SRH（Shockley-Read-Hall）复合效应，进而降低器件的少子寿命，限制了SHJ电池的转换效率。这一发现颠覆了过去40多年SHJ电池研究总结的一个共识观点，即影响SHJ电池效率的是界面处存在的Si-悬挂键点缺陷，也解释了氢钝化工艺改进为何难以进一步提升电池性能。同时，基于“嵌入式纳米孪晶”缺陷的形核-生长-终止乃至对称性的反转规律，联合团队还阐释了产生“纳米孪晶缺陷”缺陷的诱导因素和作用机制，提出了超薄抑制钝化层等系统器件工艺，制备的SHJ电池测试结果表明，工艺改进后界面缺陷密度明显降低（图1E）、电池光电转换效率得到提升（图1F）。

项目研究成果对SHJ电池乃至其他种类硅异质结电池具有参考价值，为我国光伏产业的自主创新和稳健发展贡献了力量。